三菱
所有分類下結果三菱IGBT模塊CM100TL-12NF CM150RL-12NF CM300DY-24NF CM200TL
[中介]采用低損耗CSTBTTM硅片技術 LPT結構用于1200V模塊，更加適合于并聯(lián)使用額定電流定義比市場上同類產(chǎn)品高一個等級外形尺寸與H系列IGBT完全兼容內(nèi)置導熱性能優(yōu)異的氮化鋁(AlN)絕緣基層，熱阻小通過調(diào)整底板和
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三菱IGBT模塊 CM200DY-24A CM300DY-24A CM150DY-34A CM300DY-34
[中介]采用CSTBTTM硅片技術飽和壓降低、短路承受能力強、驅動功率小比同等級其他溝槽型IGBT電流輸出能力高10%，在相同輸出電流時ΔT(j-f)低15% 成本優(yōu)化的封裝內(nèi)置導熱性能優(yōu)異的氮化鋁(AlN)絕緣基層，熱阻小模塊
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三菱IGBT模塊CM300DY-24S CM400C1Y-24S CM450DY-24S CM600DY-24S
[中介]采用第6代IGBT硅片技術，損耗低硅片結溫可高達175°C 硅片運行溫度最高可達150°C 內(nèi)部集成NTC測溫電阻封裝兼容第五代A/NF系列模塊
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三菱IGBT模塊CM100MXA-24S CM150DX-24S CM200DX-34S CM300DX-34S
[中介]采用第6代IGBT硅片技術，損耗低二極管采用第6代LPT硅片技術，正向導通壓降低硅片結溫可高達175°C 硅片運行溫度最高可達150°C 內(nèi)部集成NTC測溫電阻全系列共享同一封裝平臺有條件接受客戶定制
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三菱IGBT模塊CM1400DUC-24NF CM900DUC-24NF CM1000DUC-34NF
[中介]最新的CSTBTTM硅片技術帶來：杰出的短路魯棒性 - 降低了柵極電容 - 低VCE(sat) Vs. Eoff 新的緊湊型封裝良好的匹配液體冷卻多孔型端子使得接觸阻抗更低，實現(xiàn)更可靠的長期電氣連接端子孔徑與安裝定位孔徑一
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三菱IGBT模塊CM100DC1-24NFM CM300DC1-24NFM CM150DC1-24NFM
[中介]采用CSTBTTM硅片技術，實現(xiàn)開關速度控制的最優(yōu)化飽和壓降低于業(yè)界同類產(chǎn)品續(xù)流二極管：超高速恢復特性，極低拖尾電流開關頻率可達30kHz 模塊內(nèi)部寄生電感低
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三菱IGBT模塊CM200DU-12NFH CM300DU-12NFH CM400DU-12NFH
[中介]采用CSTBTTM硅片技術，實現(xiàn)開關速度控制的最優(yōu)化
飽和壓降低于業(yè)界同類產(chǎn)品
續(xù)流二極管：超高速恢復特性，極低拖尾電流
開關頻率可達60kHz
模塊內(nèi)部寄生電感低
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三菱IPM模塊PM75RLB/RL1B120 PM75RLB/RL1B060 PM50CLB/CL1B060
[中介]L1系列第五代
使功率循環(huán)能力得到顯著提高 頻率：0~15khz
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三菱IPM模塊 三相整流橋PS22054 PS21265-P-AP PS21564-P-S
[中介]DIP系列 IPM系列
三相整流橋+6單元IPM 頻率：0~15khz
[全國 集成電路(IC)] 福建/泉州 福建省泉州市
三菱MOSFET模塊IRFP4229PBF IRF7492PBF IRFP4568PBF IRF2807
[中介]
三菱MOSFET模塊IR系列快恢復二極管 三極管
產(chǎn) 品 型 號 參 數(shù) 說 明
IRF540 27A/100V 0.052Ω
IRF630 18A/200V 0.4Ω
IR
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